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MnV2O6纳米片的简易水热合成

刘奕 , 钱逸泰

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.01139

以醋酸为酸化剂,Mn(CH3COO)2·4H2O 和NH4VO3 为原料, 在180℃反应18h, 经水热制备了MnV2O6纳米片. 利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM),透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)对产物进行了表征, 该产物由宽约0.85μm, 长度约1.7μm, 厚度平均为100nm的纳米片构成.



关键词: 偏钒酸锰 , hydrothermal synthesis , nanoflakes

Co3O4纳米片的简单热氧化法制备及其磁性能

钟明龙

稀有金属 doi:10.13373/j.cnki.cjrm.2015.02.004

在空气气氛下,通过简单的电热板将氧化沉积在硅基片上的钴薄膜在553~723 K下加热24 h,制备出了大面积Co3O4纳米片,并对纳米片的形貌、晶体结构、生长机制及其磁性能进行了系统研究.结果表明:Co3O4纳米片垂直基片生长,其厚度约为25 ~ 80 nm,长度可达1 μm,纳米片尺寸随热氧化温度升高而增加.与相应的块体材料对比,Co3O4纳米片的Néel转变温度TN显著降低,约为20 K.450℃热氧化形成的样品5K时的磁滞回线具有明显交换偏置,交换偏置场约为9.6×10-3 T.Co膜简单热氧化生成Co3O4纳米片的过程分为两步:首先在Co膜表面由里往外形成了CoO层和Co3O4层,随后Co3O4纳米片在外层的Co3O4氧化层上形核生长,并最终形成了未氧化的Co层/CoO层/Co3O4层/Co3O4纳米片层的多层结构这种较低温度下热氧化生成Co3O4纳米片的生长过程是一种短程扩散生长机制,并受钴离子的向外扩散速率控制,生成的纳米片的形状与Co3O4晶体结构密切相关.

关键词: Co3O4 , 纳米片 , 磁性材料 , 生长机制

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